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欧洲半导体工业协会恐美国破坏产业,下一代3D半导体技术兴起

作者:未知 发布日期:2020-09-04

欧洲半导体工业协会:美国禁令将破坏半导体产业
美国已经针对中国华为等企业制定了单方面出口管制措施,他们要求所有使用美国技术设计或制造的半导体都必须获得许可才能出口到某些实体。即使在美国以外进行了许多IC设计工作,但美国的设计工具和制造工具还是完成芯片设计和制造必须的。为此ESIA(欧洲半导体工业协会)发表声明说,美国在2020年8月17日宣布出口管制措施将“产生重大影响并给全球半导体产业带来破坏”。
他们进一步指出,“出口管制应透明且负责任,可作为全球防扩散的工具,并应为此目的而具有多边效力。ESIA欢迎美国政府与欧盟等国际伙伴之间就出口管制措施进行讨论。” ESIA在声明中表示。
 
基于GaN的柔性microLED技术又有新进展
美国和韩国的研究人员已经使用石墨烯来创建基于GaN的microLED阵列,该阵列可以折叠,扭曲,切割和粘贴到不同的表面。德克萨斯大学达拉斯分校的研究人员在蓝宝石衬底上使用了石墨烯的不粘层来释放microLED阵列。UT Dallas的材料科学与工程学教授Moon Kim博士说:“这项研究的最大好处是,我们创造了一种可“拆卸”的LED,几乎可以将其安装在任何物体上。您可以将其转移到衣服上,甚至转移到橡胶上。即使起皱,它也可以保留下来。如果将其切开,则可以使用一半的LED。”
 
混合键合:下一代3D半导体技术兴起
为了解决常规计算资源越来越难以满足应用需求的问题,必须通过在3D封装中连接异构半导体来增加带宽。对于后端制程设备制造商而言,这一趋势比前端厂商更为积极。下一代后端技术的核心是混合键合。通过在芯片上蚀刻图案并沉积铜膜来形成电极。被测晶圆通过裸露的铜电极相互粘合,形成3D封装。当前,仅在前端制程中才可能进行混合键合。台积电、英特尔和三星竞争下一代制造技术
 
平泽P2新厂启动,三星产能将大增,DRAM和NAND产业供需面临挑战!
三星宣布位于韩国平泽市的第二条生产线(P2工厂)已开始导入极紫外(EUV)技术批量生产16 Gb LPDDR5。新16Gb LPDDR5采用的是三星第三代10nm级(1znm)工艺为基础,拥有更高容量和更高性能,能够满足下一代智能手机中5G和AI功能的应用。三星1Znm 16Gb LPDDR5容量增加33%,速度提高16%。
 
英伟达与三星、美光合作制造新芯片
据报道,英伟达公司周二宣布了一系列功能强大的游戏芯片,这些芯片使用美光科技公司的新存储技术设计,并且由三星电子有限公司生产。英伟达其GeForce RTX 3090、3080和3070芯片将以比以往芯片版本高两倍的性能和几乎两倍的功率改善视频游戏图形。
 
 
陈南翔加入紫光集团
紫光集团下发员工信宣布前华润微电子有限公司常务副董事长陈南翔加入紫光集团担任集团联席总裁,向集团董事长汇报。
 
 
国际半导体协会声明:请求美将华为芯片禁令延长120天
继美国半导体行业协会(SIA)发声之后,国际半导体产业协会(SEMI)在其官网发布最新声明,请求美国商务部将华为禁令延长120天。SEMI在声明中表示,认识到出口管制措施在应对美国国家安全威胁方面的作用。
 
 
美国延长关税豁免期限
当地时间9月2日,美国贸易代表办公室(USTR)发布一份文件宣布,已对部分中国产品排除加征关税的关税豁免期限延长4个月,至2020年结束为止。此前一年的豁免期已于今年9月1日到期。
 
员工分享
贺丹:父子两住上山,每天都要赶牛车下山,在转弯时儿子总是提醒“爹,转弯啦。”有一次,父亲生病了,儿子一人赶牛车,在转弯时,试用了各种办法牛怎么也不肯转弯,最后儿子灵机一动,大喊“爹,转弯啦。”牛果然应声而动。牛用条件反射的方式活着,人则以习惯生活,好的习惯累积多了,自然会有一个好的人生。
 
雨微:给大家推荐一本书,于娟的《此生未完成》。2009年12月于娟确诊患乳腺癌后,写下一年多病中日记,在日记中反思生活细节,并发出“买车买房买不来健康”的感叹。因我身边最近有朋友因病逝去,感悟很深,也希望大家珍重自己,重视健康问题。
 
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